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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產品(AEC-Q100/Q101)

74LV02BQ

Quad 2-input NOR gate

The 74LV02 is a low-voltage Si-gate CMOS device that is pin and function compatible with 74HC02 and 74HCT02.

The 74LV02 provides a quad 2-input NOR function.

此產品已停產

Features and benefits

  • Wide operating voltage: 1.0 V to 5.5 V

  • Optimized for low voltage applications: 1.0 V to 3.6 V

  • Accepts TTL input levels between VCC = 2.7 V and VCC = 3.6 V

  • Typical output ground bounce < 0.8 V at VCC = 3.3 V and Tamb = 25 °C

  • Typical HIGH-level output voltage (VOH) undershoot: > 2 V at VCC = 3.3 V and Tamb = 25 °C

  • ESD protection:

    • HBM JESD22-A114E exceeds 2000 V

    • MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

  • Multiple package options

  • Specified from -40 °C to +85 °C and from -40 °C to +125 °C

Applications

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封裝

下表中的所有產品型號均已停產 。

型號 可訂購的器件編號,(訂購碼(12NC)) 狀態(tài) 標示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
74LV02BQ 74LV02BQ,115
(935285564115)
Obsolete no package information

環(huán)境信息

下表中的所有產品型號均已停產 。

型號 可訂購的器件編號 化學成分 RoHS RHF指示符
74LV02BQ 74LV02BQ,115 74LV02BQ rohs rhf rhf
品質及可靠性免責聲明

文檔 (2)

文件名稱 標題 類型 日期
74LV02 Quad 2-input NOR gate Data sheet 2017-05-10
lv02 74LV02 IBIS model IBIS model 2019-01-09

支持

如果您需要設計/技術支持,請告知我們并填寫 應答表 我們會盡快回復您。


Longevity

The Nexperia Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our Executive Management Team. View our longevity program here.


模型

文件名稱 標題 類型 日期
lv02 74LV02 IBIS model IBIS model 2019-01-09

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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