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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

施密特觸發(fā)器晶體管

響應(yīng)市場(chǎng)對(duì)尺寸更小、成本更低的產(chǎn)品的需求

使用我們的施密特觸發(fā)器IC可大幅降低對(duì)電路板空間的需求——在一個(gè)封裝中提供常用功能。通過(guò)將多個(gè)器件集成到一起,它們還實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化的性能,并提供了減少器件數(shù)量和降低放置成本的機(jī)會(huì)。

主要特性和優(yōu)勢(shì)

  • 低電流(最高100 mA)
  • 減少器件數(shù)量,降低貼片成本
  • 低電壓(最高30和6 V)
  • 更小型設(shè)計(jì)

關(guān)鍵應(yīng)用

  • 通用開關(guān)和放大
  • 施密特觸發(fā)器應(yīng)用

參數(shù)搜索

Schmitt trigger transistors
數(shù)據(jù)加載中,請(qǐng)稍候...
參數(shù)搜索不可用。

產(chǎn)品

型號(hào) 描述 狀態(tài) 快速訪問(wèn)
BCV63; BCV63B NPN general-purpose double transistors ACT
BCV63 NPN general-purpose double transistors Production
BCV63B NPN general-purpose double transistors Production
BCV64B PNP general-purpose double transistor Production
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Marcom graphics (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
SOT143B_mk.png plastic, surface-mounted package; 4 leads; 1.9 mm pitch; 2.9 mm x 1.3 mm x 1 mm body Marcom graphics 2017-01-28

Selection guide (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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