主要特性
- 零正向和反向恢復(fù)
- 開關(guān)性能不受溫度影響
- 開關(guān)操作快速流暢
- 高IFSM能力
- 低泄漏電流
- 易于并聯(lián)/正溫度系數(shù)
- 出色的品質(zhì)因數(shù)(Qc x VF)
- 高達175 °C結(jié)溫的熱穩(wěn)定性
- AEC-Q101質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
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關(guān)鍵應(yīng)用
- 工業(yè)和消費類應(yīng)用
- 開關(guān)模式電源(SMPS)
- 交流-直流和直流-直流轉(zhuǎn)換器
- 電池充電基礎(chǔ)設(shè)施
- 服務(wù)器和電信電源
- 不間斷電源(UPS)
- 光伏逆變器
汽車應(yīng)用：
- 車載充電器(OBC)
- 逆變器
- 高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器
主要優(yōu)勢
- 高功率密度
- 降低系統(tǒng)成本
- 系統(tǒng)小型化
- 高溫工作
- 減少EMI
- 提高了耐用性和可靠性
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Silicon Carbide (SiC) Schottky diodes
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產(chǎn)品
| 型號 | 描述 | 狀態(tài) | 快速訪問 |
|---|---|---|---|
| PSC0665B1 | 650 V, 6 A SiC Schottky diode in bare die | Production | |
| PSC0665H | 650 V, 6 A SiC Schottky diode in DPAK R2P | Production | |
| PSC0665K | 650 V, 6 A SiC Schottky diode in TO-220-2 R2P | Production | |
| PSC1065B1 | 650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die | Production | |
| PSC1065B1-Q | 650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die for automotive applications | Production | |
| PSC1065H | 650 V, 10 A SiC Schottky diode in DPAK R2P | Production | |
| PSC1065H-Q | 650 V, 10 A SiC Schottky diode in DPAK R2P for automotive applications | Production | |
| PSC1065J-Q | 650 V, 10 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P for automotive applications | Production | |
| PSC1065K | 650 V, 10 A SiC Schottky diode in TO-220-2 R2P | Production | |
| PSC1665B1 | 650 V, 16 A SiC Schottky diode in bare die | Production | |
| PSC1665J | 650 V, 16 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P | Production | |
| PSC1665J-Q | 650 V, 16 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P for automotive applications | Production | |
| PSC1665L | 650 V, 16 A SiC Schottky diode in TO247 R2P | Production | |
| PSC20120J | 1200 V, 20 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P | Production | |
| PSC20120L | 1200 V, 20 A SiC Schottky diode in TO247 R2P | Production | |
| PSC2065B1 | 650 V, 20 A SiC Schottky diode in bare die | Production | |
| PSC2065J | 650 V, 20 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P | Production | |
| PSC2065J-Q | 650 V, 20 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P for automotive applications | Production | |
| PSC2065L | 650 V, 20 A SiC Schottky diode in TO247 R2P | Production |
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Brochure (1) |
|||
|---|---|---|---|
| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 類型 | 日期 |
| nexperia_DIODE_Handbook.pdf | Nexperia DIODE Handbook Chinese | Brochure | 2023-09-20 |
Leaflet (2) |
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| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 類型 | 日期 |
| Leaflet_SiC_Schottky_Diodes_March_2025.pdf | Leaflet SiC Schottky Diodes | Leaflet | 2025-03-12 |
| Nexperia_document_factsheet_SiC_CN.pdf | SiC肖特基二極管 全新高功率碳化硅二極管產(chǎn)品組合 | Leaflet | 2022-04-25 |
Marcom graphics (1) |
|||
| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 類型 | 日期 |
| RS2175_D2PAK_SOT404_B_mk_2-pin.png | D2PAK SOT404_B MARCOM graphic | Marcom graphics | 2021-10-29 |
Selection guide (1) |
|||
| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 類型 | 日期 |
| Nexperia_Selection_guide_2023.pdf | Nexperia Selection Guide 2023 | Selection guide | 2023-05-10 |
Technical note (1) |
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| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 類型 | 日期 |
| TN90007.pdf | Evaluation of junction temperature and thermal stacks using the virtual junction | Technical note | 2024-09-02 |
White paper (2) |
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| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 類型 | 日期 |
| 2023-0001_NEX_080_Whitepaper_SiC-diodes_Chinese_FINAL_version.pdf | 2023-0001_NEX_080_Whitepaper_SiC-diodes_Chinese | White paper | 2023-06-08 |
| 2023-0001_NEX_029_Whitepaper_SiC-diodes_V04.pdf | Whitepaper SiC diodes | White paper | 2023-04-21 |