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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

74ABT20DB

Dual 4-input NAND gate

The 74ABT20 high-performance BiCMOS device combines low static and dynamic power dissipation with high speed and high output drive.

The 74ABT20 is a dual 4-input NAND gate.

此產(chǎn)品已停產(chǎn)

Features and benefits

  • Latch-up protection exceeds 500 mA per JESD78B class II level A
  • ESD protection:
    • HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V
    • MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
  • Multiple package options
  • Specified from -40 °C to +85 °C

Applications

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封裝

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào),(訂購(gòu)碼(12NC)) 狀態(tài) 標(biāo)示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
74ABT20DB 74ABT20DB,112
(935208670112)
Obsolete no package information
74ABT20DB,118
(935208670118)
Obsolete

環(huán)境信息

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào) 化學(xué)成分 RoHS RHF指示符
74ABT20DB 74ABT20DB,112 74ABT20DB rohs rhf rhf
74ABT20DB 74ABT20DB,118 74ABT20DB rohs rhf rhf
品質(zhì)及可靠性免責(zé)聲明

文檔 (3)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
74ABT20 Dual 4-input NAND gate Data sheet 2017-03-17
abt20 abt20 IBIS model IBIS model 2013-04-08
abt abt Spice model SPICE model 2013-05-07

支持

如果您需要設(shè)計(jì)/技術(shù)支持,請(qǐng)告知我們并填寫 應(yīng)答表 我們會(huì)盡快回復(fù)您。


Longevity

The Nexperia Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our Executive Management Team. View our longevity program here.


模型

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
abt20 abt20 IBIS model IBIS model 2013-04-08
abt abt Spice model SPICE model 2013-05-07

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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