Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類別以優(yōu)化性能

“ASFET”采用專為特定應(yīng)用量身定制的MOSFET參數(shù)

Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動(dòng)器

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的DFN2020D-6器件可節(jié)省90%PCB空間；可焊性側(cè)面可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)并提高可靠性

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Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護(hù)的共模濾波器

具有超寬差分通帶的高效組合功能的器件

Nexperia全新車用TrEOS ESD保護(hù)器件兼具高信號(hào)完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度

具備行業(yè)基準(zhǔn)性能的器件，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，可保護(hù)信息娛樂、多媒體和ADAS系統(tǒng)

Nexperia“Power Live”在線研討會(huì)于2020年7月2日和3日正式上線

參與有關(guān)GaN、鍺化硅、汽車應(yīng)用、先進(jìn)封裝等等主題的現(xiàn)場討論；觀看點(diǎn)播視頻演示

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Nexperia推出采用小型無引腳耐用型DFN封裝的符合AEC-Q101的分立半導(dǎo)體產(chǎn)品組合

相比現(xiàn)有SMD器件可節(jié)省90%空間，支持AOI檢測(cè)

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Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用；新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK

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Nexperia的鍺化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、熱穩(wěn)定性，能夠節(jié)省空間

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的120 V、150 V和200 V設(shè)備兼具肖特基和快速恢復(fù)二極管的最佳屬性

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Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的堅(jiān)固LFPAK56封裝

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適合汽車應(yīng)用

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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

采用易于使用的封裝，適用于可穿戴設(shè)備和大批量應(yīng)用